Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPI034NE7N3 G
Infineon Technologies

IPI034NE7N3 G

Номер детали производителя IPI034NE7N3 G
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
Упаковка PG-TO262-3
В наличии 5372 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMultiple Devices 04/Jul/2014
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5372 Infineon Technologies IPI034NE7N3 G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.8V @ 155µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO262-3
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 100A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 214W (Tc)
Упаковка / TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 8130 pF @ 37.5 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 117 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 75 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 100A (Tc)
Базовый номер продукта IPI034N

Рекомендуемые продукты

IPI034NE7N3 G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IPI034NE7N3 G

Связанные детали для IPI034NE7N3 G